IRFR024NTRPBF vs IRLR024NTRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR024NTRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR024NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFR024NTRPBF | IRLR024NTRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Product Series | HEXFET Power MOSFET (5th generation) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (at TC = 25 C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 45 W (at TC = 25 C) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free / PbF terminations) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 65 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 10 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 45 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |
| Technology | — | HEXFET (Advanced Process Technology) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |