IRFR024NTRPBF vs IRLR024NTRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR024NTRPBF מאת Infineon ו IRLR024NTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR024NTRPBF | IRLR024NTRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Product Series | HEXFET Power MOSFET (5th generation) | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (at TC = 25 C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 45 W (at TC = 25 C) | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| מארז | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free / PbF terminations) | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 65 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 10 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 45 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| Technology | — | HEXFET (Advanced Process Technology) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |