IRFR5305TRLPBF vs IRFL014NTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5305TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFL014NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5305TRLPBF IRFL014NTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (planar N-channel, fifth generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") Yes / Compliant
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 C — 1.9 A
Continuous Drain Current (ID) at 70 C — [DATA_NEEDED: ID at 70 C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 160 milliohm
Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typical — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at 25 C — 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
dv/dt Rating — Yes (dynamic dv/dt rated)
MSL لیول — Level 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں