IRFR9024NTRLPBF vs IRFR5505TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR9024NTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR5505TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR9024NTRLPBF IRFR5505TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) Yes (PBF suffix)
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — -18 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
پیکیج — TO-252AA (DPAK), surface mount
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں