IRFR9024NTRLPBF vs IRFR5505TRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFR9024NTRLPBF bằng Infineon và IRFR5505TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFR9024NTRLPBF | IRFR5505TRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -11 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 175 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 38 W | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 12.7 nC | — |
| Package Type | TO-252AA (DPAK) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) | — |
| Technology | HEXFET (Generation 5) | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free / RoHS | Yes (LPBF suffix) | Yes (PBF suffix) |
| Reel Orientation | Left (TRL suffix) | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | -55 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -18 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 110 mOhm (VGS = -10 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) | — | 57 W (Tc = 25 °C) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC] |
| Hộp | — | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Cấp MSL | — | 1 |