IRFR9024NTRLPBF vs IRFR5505TRLPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR9024NTRLPBF توسط Infineon و IRFR5505TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRFR9024NTRLPBF | IRFR5505TRLPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -11 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 175 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 38 W | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 12.7 nC | — |
| Package Type | TO-252AA (DPAK) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) | — |
| Technology | HEXFET (Generation 5) | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free / RoHS | Yes (LPBF suffix) | Yes (PBF suffix) |
| Reel Orientation | Left (TRL suffix) | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | -55 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -18 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 110 mOhm (VGS = -10 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) | — | 57 W (Tc = 25 °C) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC] |
| بسته‌بندی | — | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| سطح MSL | — | 1 |