IRFZ44NPBF vs IRF530NSTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ44NPBF بذریعہ Infineon اور IRF530NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFZ44NPBF | IRF530NSTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 49 A | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 17.5 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | 24.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 94 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 62 C/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| پیکیج | TO-220AB (3-pin + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (Planar Stripe Cell) |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | — | 100 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 90 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 70 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 3.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Package Type | — | D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| Qualification Market | — | Industrial |