IRL540NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRL540NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRL540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C -55 C to +175 C
پیکیج TO-263 (D2PAK) D2PAK (TO-263), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) Yes (HEXFET ruggedized)
RoHS اسٹیٹس Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant (Pb-free)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں