IRLB4030PBF vs IRLR2908TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLB4030PBF بذریعہ Infineon اور IRLR2908TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLB4030PBF | IRLR2908TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 87 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 370 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| پیکیج | TO-220AB | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET family) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Logic Level Drive | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) | — |
| Qualification | JEDEC | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V | — | 28 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V | — | 22.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 22 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 120 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |