IRLB4030PBF vs IRLR2908TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLB4030PBF מאת Infineon ו IRLR2908TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLB4030PBF | IRLR2908TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 87 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 370 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-220AB | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET family) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Logic Level Drive | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) | — |
| Qualification | JEDEC | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V | — | 28 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V | — | 22.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 22 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 120 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |