IRLML0030TRPBF vs IRLML2060TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML0030TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML2060TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML0030TRPBF IRLML2060TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A 1.2 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) —
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W 1.25 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج Micro3 / SOT-23 (3-pin) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR HEXFET (Trench Gate)
MSL لیول 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) MSL1
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 12 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.8 V typical
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں