ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD005N04NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD005N04NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD005N04NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 58 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 610 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 0.5 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| MSL لیول | — | 1 |