ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD005N04NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC151N08NM6ATMA1 bằng Infineon và IQD005N04NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 - 40V 0.5mΩ N-Ch MOSFET PG-TSON-8-9 | Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD005N04NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Trực流连续电流 (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Hộp | PG-TDSON-8 FL | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 58 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 610 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 0.5 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Cấp MSL | — | 1 |