ISCH99N04NM7VATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISCH99N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC019N04LSTATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISCH99N04NM7VATMA1 ISCH99N04NM7VATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

ISCH99N04NM7VATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

ISCH99N04NM7VATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISCH99N04NM7VATMA1 BSC019N04LSTATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
پیکیج PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C
MSL لیول — 1 (unlimited)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں