ISZ019N03L5SATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ019N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ019N03L5SATMA1 BSC014N04LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (TJ max) -55C to +175C
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Series — OptiMOS 5
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں