ISZ019N03L5SATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ019N03L5SATMA1 מאת Infineon ו BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISZ019N03L5SATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 (<= 40V) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC at VGS=10V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2800 pF at VDS=15V | — |
| מארז | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (TJ max) | -55C to +175C |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RG-tested | 100% | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |