K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WF-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics

K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics

K4A4G165WF-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WF-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $17.08
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 2133 MT/s —
Core Voltage 1.2 V —
پیکیج FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Die Generation D-die —
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] —
Burst Length 8 (BL8, fixed/chop) —
انٹرفیس DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Pb-Free Yes (per Samsung part-numbering suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free suffix) Compliant
Refresh Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) —
Speed Grade — DDR4-2400
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Die Type — Samsung 4Gb F-die
Bank / Bank Group Architecture — 8 banks, bank groups
Data Mask — Supported (DM)
CRC / CA Parity — Supported
ZQ Calibration — Supported
Dynamic ODT — Supported
Auto Precharge — Supported
Asynchronous Reset — Supported

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں