K4A4G165WD-BCRC vs H5AN4G6NBJR-PBC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN4G6NBJR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-PBC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WD-BCRC H5AN4G6NBJR-PBC
برانڈ Samsung Electronics SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
تنظیم 256M x 16 256M x 16 (268435456 words x 16 bits)
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96), rectangular
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
انٹرفیس ٹائپ DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade]
RoHS اسٹیٹس Lead free / RoHS Compliant —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Memory Density — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
انٹرفیس — DDR4 (double data rate, synchronous)
Package Code — TFBGA
Number of Terminals — 96
خصوصیات — Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC
Data Rate / Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Process — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free)
Temperature Grade — OTHER (per distributor listing)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں