K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | 2133 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| انٹرفیس | SSTL-12 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | 4 bank groups x 4 banks |
| پیکیج | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free suffix) |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |