K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G165WD-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4A4G165WD-BCPB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | 2133 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| ממשק | SSTL-12 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | 4 bank groups x 4 banks |
| מארז | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free suffix) |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |