K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 85°C | 0C to +85C |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 96FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount (BGA) |
| انٹرفیس | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |