K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | 0C to +85C |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 96FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| نوع نصب | — | Surface Mount (BGA) |
| رابط | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |