K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداری

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB K4A8G085WC-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال آخری بار خریداری
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج 78-pin FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
ڈیٹا ریٹ [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] 2666 Mbps (PC4-2133)
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
انٹرفیس ٹائپ — Synchronous, parallel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں