K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WC-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ רכישה אחרונההשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | רכישה אחרונה |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| מארז | 78-pin FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| קצב נתונים | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| סוג ממשק | — | Synchronous, parallel |