K4A8G085WC vs K4A8G085WB-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC K4A8G085WB-BCPB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $4.10
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gbit —
تنظیم 1G x 8 —
Speed 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Clock Frequency 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) -40 C to +95 C —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) 0 C to +95 C —
پیکیج 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
میموری سائز — 8 Gb
Memory Organization — 1G x 8
Max Clock Frequency — 1066 MHz
Max Access Time — 0.18 ns
Max Standby Current — 0.016 mA
Refresh Cycles — 8192
Technology — CMOS, 8Gb B-die
Number of Terminals — 78
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0C to +85C
انٹرفیس — DDR4 SDRAM parallel interface
Operating Temperature Grade — Commercial (0C to 85C)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں