K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16B4-HR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور NT5AD512M16B4-HR بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16B4-HR |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time | 19 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| پیکیج | 96FBGA | 96-ball TFBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Temperature Range | — | 0°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |