K4B4G1646 vs K4B4G1646E-BYK000 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYK000 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | 4 Gbit |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | — |
| پیکیج | 96-FBGA | 96-FBGA (BYK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| خصوصیات | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| Access Time | — | 1.25 ns |