K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| پیکیج | 96-FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| CAS لیٹنسی | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |