K4B4G1646E-BYMATCV vs MT41K256M16RE-125:D موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16RE-125:D بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYMATCV | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 1600 MT/s |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 |
| CAS لیٹنسی | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |