K4B4G1646E-BYMATCV vs MT41K256M16RE-125:D השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMATCV מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16RE-125:D מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMATCV | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | 1600 MT/s |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| מארז | 96-ball FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| מספר פינים | 96 | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |