K4B4G1646E-BYMATCV vs MT41K256M16RE-125:D Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil K4B4G1646E-BYMATCV dari Samsung Electronics dan MT41K256M16RE-125:D dari Micron Technology. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktifMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktifPerbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | K4B4G1646E-BYMATCV | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Tipe Memori | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Ukuran Memori | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Laju Data | 1866 Mbps | 1600 MT/s |
| Tegangan Pemuat | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Paket | 96-ball FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Jumlah Pin | 96 | — |
| Rentang Suhu Kerja | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 |
| Latensi CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisasi | — | 256M x 16 |
| Suhu Kerja | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |