K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4E-EF70T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6F3216U6M-EF70T بذریعہ Samsung Electronics اور K6F2016U4E-EF70T بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6F3216U6M-EF70T K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6F3216U6M-EF70T K6F2016U4E-EF70T
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
میموری سائز 32 Mbit 2 Mbit
تنظیم 2M x 16 128K x 16
سپلائی وولٹیج 3 V —
Access Time 55 ns —
انٹرفیس Parallel Parallel
Technology Full CMOS Static RAM Full CMOS
پیکیج 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) 48-TFBGA (6 x 7)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade -EF70 (55 ns) —
Standard Pack Qty 2400 —
RoHS اسٹیٹس NO (per third-party listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Composition Volatile SRAM —
Refresh Requirement None (static memory) None (static RAM)
Access Time (tAA) — 70 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.3 V
Active Supply Current (ICC1) — [DATA_NEEDED: ICC1]
Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade]
Control Signals — CE, OE, WE
نمی حساسیت کی سطح (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں