K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4E-EF70T مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K6F3216U6M-EF70T توسط Samsung Electronics و K6F2016U4E-EF70T توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K6F3216U6M-EF70T | K6F2016U4E-EF70T |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| اندازه حافظه | 32 Mbit | 2 Mbit |
| سازمان | 2M x 16 | 128K x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Full CMOS |
| بسته‌بندی | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 48-TFBGA (6 x 7) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| وضعیت RoHS | NO (per third-party listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | None (static RAM) |
| Access Time (tAA) | — | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Active Supply Current (ICC1) | — | [DATA_NEEDED: ICC1] |
| Standby Current (ICC2) | — | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| سطح حساسیت به رطوبت (MSL) | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |