K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-GF70T00 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF70 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-GF70T00 بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 ✗ اختتامِ زندگی
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-GF70T00
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت اختتامِ زندگی فعال
میموری ٹائپ Asynchronous SRAM (CMOS) SRAM - Asynchronous
Density 256 Kbit —
تنظیم 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 70 ns
انٹرفیس Parallel Parallel
Technology CMOS CMOS
پیکیج 28-SOP (PDSO28) 28-SOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
سپلائی وولٹیج [DATA_NEEDED: Supply Voltage] 5 V
Operating Current (active) [DATA_NEEDED: Operating Current] —
Standby Current (CMOS) [DATA_NEEDED: Standby Current] —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Data Retention Volatile (battery-backup capable with CE control) —
I/O Type Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) Common Data I/O, TTL compatible
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Address Bus A0-A14 (15 address lines) —
میموری سائز — 256 Kbit
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Clock / Refresh — Fully static, no clock or refresh required
Packaging — Tape & Reel (T00 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں