M29W064FT70N3F vs M29W064FT70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W064FT70N3F بذریعہ Micron Technology اور M29W064FT70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ فعال
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W064FT70N3F M29W064FT70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Density 64 Mbit 64 Mbit
تنظیم 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 8 Mb x8 or 4 Mb x16
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase, read —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
انٹرفیس Parallel Parallel, CFI compliant
Boot Block Configuration Top boot block (FT) —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +85C
پیکیج 48-TSOP I 48-TSOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Programming Method Command set / data polling / toggle bit —
Block Protection Yes, with temporary unprotection —
Product Longevity Program No No
Width x8/x16 —
RoHS اسٹیٹس unknown [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
سپلائی وولٹیج — 2.7 V to 3.6 V
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں