M29W064FT70N3F vs M29W064FT70N3E So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W064FT70N3F bằng Micron Technology và M29W064FT70N3E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W064FT70N3F M29W064FT70N3E
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Density 64 Mbit 64 Mbit
Tổ chức 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 8 Mb x8 or 4 Mb x16
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase, read —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Giao diện Parallel Parallel, CFI compliant
Boot Block Configuration Top boot block (FT) —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +85C
Hộp 48-TSOP I 48-TSOP
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Programming Method Command set / data polling / toggle bit —
Block Protection Yes, with temporary unprotection —
Product Longevity Program No No
Width x8/x16 —
Trạng thái RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Điện áp cung cấp — 2.7 V to 3.6 V
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá