M29W800FB70N3E vs M29F800FT55N3E2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W800FB70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29F800FT55N3E2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W800FB70N3E M29F800FT55N3E2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8388608 bits) 8389 kbits
تنظیم 512K x 16 / 1M x 8 —
ڈیٹا بس چوڑائی x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
انٹرفیس Parallel Parallel
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +125C
پیکیج 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I
پن کی تعداد 48 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
سپلائی وولٹیج — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں