MRF8S18120HR3 vs MRF8S19260HSR6 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF8S18120HR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF8S19260HSR6 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP
MRF8S18120HR3 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF8S18120HR3 | MRF8S19260HSR6 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Number | MRF8S18120HR3 | MRF8S19260HSR6 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS, N-Channel, Dual |
| Frequency Range | 1805 to 1880 MHz | — |
| Output Power (CW) | 72 W | — |
| Power Gain (typ) | 18.2 dB at 1.81 GHz | — |
| Drain-Source Voltage (Rated) | 65 V | — |
| Test Drain Voltage (Vdd) | 28 V | — |
| Test Quiescent Current (Idq) | 800 mA | — |
| Drain Current Rating | 10 uA (leakage spec entry per datasheet) | — |
| Operating Mode | Class AB, Class C | Class AB and Class C capable |
| پیکیج | NI-780H (3-pin ceramic, flangeless) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount / Screw-down heatsink | Chassis / Flange Mount (through-hole RF bolt-down) |
| Target Application | GSM, GSM EDGE base station PA | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant per NXP product page | Compliant |
| Frequency Band | — | 1930 MHz to 1990 MHz |
| Test Frequency | — | 1.99 GHz |
| Drain-Source Voltage (Max Rated) | — | 65 V |
| Operating Drain Voltage (Typical) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Test) | — | 1.6 A |
| Output Power (CW / Avg) | — | 74 W average |
| Power Gain | — | 18.2 dB at 1.99 GHz |
| پیکیج / کیس | — | NI-1230S-8 (ceramic air-cavity bolt-down) |
| Lead Free Status | — | Compliant (per DigiKey listing) |
| Application | — | W-CDMA, CDMA, multi-carrier cellular base station PA |