MRF8S21100HSR3 vs MRF6S21100NR1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF8S21100HSR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S21100NR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF8S21100HSR3 | MRF6S21100NR1 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) | RF Power LDMOS (7th-generation) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 65 V | — |
| Operating Drain Voltage (VDD) | 28 V nominal | — |
| Frequency Range | 2110 MHz to 2170 MHz | — |
| Test Frequency | 2.14 GHz | — |
| Output Power (CW, typical) | 100 W | — |
| Average Output Power (W-CDMA) | 24 W | — |
| Power Gain (typ) | 18.3 dB at 2.14 GHz | — |
| Drain Current (ID, max) | [DATA_NEEDED: max ID rating] | — |
| پیکیج / کیس | NI-780S (Case 465A-06), 3-pin ceramic flange | TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1) |
| Configuration | Single, push-pull N/A | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Chassis / flange mount, screw-down | Surface Mount (plastic overmold) |
| Operating Class | Class AB or Class C | — |
| Application | W-CDMA, LTE base-station power amplifiers | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per NXP product family) | [DATA_NEEDED: confirm RoHS compliance status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Frequency Band | — | 2110 MHz to 2170 MHz (W-CDMA downlink) |
| Drain Voltage (VDD) | — | 28 V |
| Drain Current (Continuous) | — | 1.05 A |
| Drain Current (Pulsed) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Power Gain | — | 14.5 dB typical at 2.11 GHz |
| Output Power (Pout) | — | 23 W average (W-CDMA) |
| Quiescent Current (IDQ) | — | 1600 mA |
| Operating Mode | — | Class AB |
| Modulation Support | — | W-CDMA, TDMA, CDMA, multi-carrier |
| Drain-Source Breakdown (V(BR)DSS) | — | 68 V (rated) |