MRF8S9170NR3 vs MRF377HR3 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF8S9170NR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF377HR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF8S9170NR3 | MRF377HR3 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | RF Power LDMOS | Lateral RF Power MOSFET (Silicon) |
| Frequency Range | 920 MHz to 960 MHz | 470 MHz to 860 MHz |
| Output Power (Average, W-CDMA) | 50 W | — |
| Power Gain (Typical) | 19.3 dB at 920 MHz, 28 V, 1 A quiescent bias | — |
| Drain-Source Voltage Rating (Vdss) | 70 V | — |
| Operating Drain Voltage (Test Condition) | 28 V | — |
| Quiescent Bias Current (Idq, Test Condition) | 1 A | — |
| Drain Current (Operating) | [DATA_NEEDED: typical operating Id at 50 W Pout] | — |
| پیکیج | OM-780-2 (ceramic flange) | NI-860C3 (ceramic flange) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount / Flange Mount (bolt-down thermal pad) | Flange / Screw Mount (Surface Mount variant per HR3 suffix) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range from datasheet] | -40 C to +200 C (junction) |
| Class of Operation | Class AB, Class C (W-CDMA) | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead Free (per digchip listing) | Lead Free / RoHS Compliant |
| ESD Protection | [DATA_NEEDED: ESD class rating from datasheet] | — |
| Impedance Characterization | Series-equivalent large-signal impedance parameters provided | — |
| Test Conditions Note | 100% PAR tested for guaranteed output power capability | — |
| Drain-Source Voltage (V DSS) | — | 65 V (max) |
| Operating Drain Voltage | — | 32 V (typical) |
| Continuous Output Power (P out) | — | 45 W (CW, push-pull) |
| Power Gain (G ps) | — | 18.2 dB (typical at 860 MHz) |
| Drain Efficiency | — | [DATA_NEEDED: drain efficiency %] |
| Test Current | — | 2 A |
| Configuration | — | Push-Pull (internally matched) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| Case Connection | — | Source |
| Maximum Power Dissipation | — | 648 W (per Partstack listing) |