MT40A1G8SA-062E vs H5AN8G8NDJR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A1G8SA-062E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G8NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A1G8SA-062E | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | 2.5 V |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | 0°C to +95°C (Tc) |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| پیکیج | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| خصوصیات | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| CAS لیٹنسی | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |