MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-RDC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G6NAFR-RDC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 MT/s | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| انٹرفیس | Parallel | DDR4 (JEDEC-standard) |
| پیکیج | 96-FBGA (8x14) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| خصوصیات | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |