MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-RDC So sánh
So sánh chi tiết song song của MT40A512M16JY-075E bằng Micron Technology và H5AN8G6NAFR-RDC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-075E ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gbit | — |
| Tổ chức | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 MT/s | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Giao diện | Parallel | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Hộp | 96-FBGA (8x14) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Tính năng | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |