MT41K256M16 vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16 بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.32 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM (1.35V) | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) | — |
| Banks | 8 | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Options | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] | — |
| انٹرفیس | Parallel, source-synchronous DDR | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] | 0°C to +95°C |
| Refresh | 8K refresh cycles / 64 ms | — |
| CAS Latency Options | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] | — |
| Die Revision | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Lead Free | Yes (per DigiKey product listing) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| ڈیٹا ریٹ | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| پنز کی تعداد | — | 96 |