MT41K256M16 vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16 von Micron Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,42 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM (1.35V) | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) | — |
| Banks | 8 | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Options | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] | — |
| Schnittstelle | Parallel, source-synchronous DDR | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] | 0°C to +95°C |
| Refresh | 8K refresh cycles / 64 ms | — |
| CAS Latency Options | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] | — |
| Die Revision | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Lead Free | Yes (per DigiKey product listing) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Datenrate | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Anzahl der Pins | — | 96 |