MT41K256M16 vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16 מאת Micron Technology ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM (1.35V) | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) | — |
| Banks | 8 | — |
| מארז | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Options | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] | — |
| ממשק | Parallel, source-synchronous DDR | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] | 0°C to +95°C |
| Refresh | 8K refresh cycles / 64 ms | — |
| CAS Latency Options | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] | — |
| Die Revision | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Lead Free | Yes (per DigiKey product listing) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| מתח אספקה | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| קצב נתונים | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| מספר פינים | — | 96 |