MT41K256M16 vs K4B4G1646E-BYMA So sánh
So sánh chi tiết song song của MT41K256M16 bằng Micron Technology và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology
MT41K256M16 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT41K256M16 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $14,32 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM (1.35V) | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gbit | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) | — |
| Banks | 8 | — |
| Hộp | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Options | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] | — |
| Giao diện | Parallel, source-synchronous DDR | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] | 0°C to +95°C |
| Refresh | 8K refresh cycles / 64 ms | — |
| CAS Latency Options | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] | — |
| Die Revision | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Lead Free | Yes (per DigiKey product listing) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Điện áp cung cấp | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Tốc độ dữ liệu | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Số lượng chân | — | 96 |