NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63AFR-PBA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16DP-DI بذریعہ Nanya Technology اور H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5CC256M16DP-DI H5TC4G63AFR-PBA
برانڈ Nanya Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $3.98
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
سپلائی وولٹیج 1.35V —
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps/pin (800MHz) 1866 Mbps (PC3L-14900)
پیکیج VFBGA-96 96-ball FBGA
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +95°C (industrial) 0°C to +95°C (Tcase)
CAS لیٹنسی 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 and 4 (with burst chop)
Number of Banks 8 8
انٹرفیس Differential clock (CK, CK#) 16-bit I/O
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں