NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63AFR-PBA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16DP-DI توسط Nanya Technology و H5TC4G63AFR-PBA توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | — |
| نرخ داده | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| بسته‌بندی | VFBGA-96 | 96-ball FBGA |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C (industrial) | 0°C to +95°C (Tcase) |
| تأخیر CAS | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| رابط | Differential clock (CK, CK#) | 16-bit I/O |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |