STB80NF55-08AG vs STB80NF55-06T4 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STB80NF55-08AG بذریعہ STMicroelectronics اور STB80NF55-06T4 بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

STMicroelectronics
STB80NF55-08AG STB80NF55-08AG - 55V 80A Automotive N-Channel MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-08AG - 55V 80A Automotive N-Channel MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-08AG ✓ فعال
STMicroelectronics
STB80NF55-06T4 STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-06T4 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STB80NF55-08AG STB80NF55-06T4
برانڈ STMicroelectronics STMicroelectronics
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 80 A (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 6.5 mΩ typ —
Power Dissipation (PD) 300 W (Tc) 300 W
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge value] 80 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance value] 4500 pF (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage value] —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C -55°C to +175°C
پیکیج D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Grade AEC-Q101 qualified —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology STripFET —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 80 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 320 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.5 mΩ (typ), 8 mΩ (max)
Output Capacitance (Coss) — 700 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 250 pF (typ)
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں